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TVS Diode 5KW 11V-190V

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瞬態電壓抑制二極體 (TVS)

5000W Surface Mount Transient Voltage Suppressor

TVS 5.0SMCJ Series Voltage Range: 11V ~ 190V

PDF File TVS 5.0SMCJ - Series  (5KW  11V-190V SMC/DO-214AB)

 

SINLOON® TVS 瞬態電壓抑制二極管 5.0SMCJ Series
Voltage : 11V - 190V 5000W Surface Mount Transient Voltage Suppressor
Maximum Ratings and Electrical Characteristics @TA=25 unless otherwise specified
CHARACTERISTIC Symbol Value Unit
Peak Pulse Power Dissipation at TA = 25 (Note 1,2,5) Fig.3 PPPM 5000 Min. W
Peak Forward Surge Current (Note 3) IFSM 300 A
Power Dissipation on Infinite Heat sink qt TL = 75 (Note 4) Fig. 5 PM(AV) 6.5 W
Maximum Instantaneous Forward Voltage at 100A (Note 6) VF 3.5/5.0 V
Typical Thermal Resistance RθJL 15 /W
RθJA 75
Operating and Storage Temperature Range Tj, TSTG. -65~+150
Note: 1. Non-repetitive current pulse per Figure 1 and derated above TA=25 per Figure 4.
2. Mounted on 8.0mm2 (0.013mm thick) copper pad to each terminal.
3. 8.3ms single half sine-wave duty cycle = 4 pulses per minutes maximum.
4. Lead temperature at 75
5. Peak pulse power waveform is 10/1000μS.
6. For unidirectional only. VF<3.5V for devices of VBR<200V and VF<5.0V for devices of VBR.201V
TVS  瞬態電壓抑制器   特性:
1. 高效能保護器件     2.  吸收反向瞬態脈衝     3.  瞬態功率大     4. 漏電流低,轚穿電壓徧差小     5.  電路異常下反應快
參數符號說明: 最大反向工作電壓: VRWM

電容: CPP 轚穿電壓: VBR 反向脈衝峰值功率: Pppm
漏電流: IR 最大箝位電壓: VC (Max.) 最大反向脈衝峰值電流: Ippm

 

最近更新在 週六, 20 二月 2016 12:31  
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薄膜電阻和厚膜電阻的最大區別

 產品應用   薄膜電阻和厚膜電阻的最大區別在那裡?

薄膜電阻和厚膜電阻的最大區別
1. 膜厚的區別: 厚膜電路的膜厚一般大於10μm,薄膜的膜厚小於10μm,大多處於小於1μm.
2. 製造工藝的區別: 厚膜電路一般採用絲網印刷工藝,薄膜電阻採用的是真空蒸發,磁控濺射等工藝方法。
3. 厚膜電阻和薄膜電阻在材料和工藝上的區別直接導致了兩種電阻在性能上的差異。厚膜電阻一般精度
較差,±10%,±5%,±1%是常見精度,而薄膜電阻則可以做到±0.01%萬分之一精度,±0.1%千分之一精度等。
 同時厚膜電阻的溫度係數上很難控制,一般較大,同樣的,薄膜電阻則可以做到非常低的溫度係數至±5ppm,這樣
電阻阻值隨溫度變化非常小,阻值穩定可靠.所以薄膜電阻常用於各類儀器儀錶,醫療器械,電源,電力設備.
電子數碼產品等。 
應用                    
薄膜電阻的應用廣泛,對於任意面積遠大於厚度的情形,比如薄膜物理或者半導體產業中,常有奈米級厚度的
薄膜被沉積到晶片上,如果關心這些薄膜的電阻阻值大小時,就需使用薄膜電阻這一概念。例如,在發光二極體
的製造中,二極體PN結上作為電極而沉積的金屬的阻值很大程度影響了發光二極體的發光效率,因此需要最小化
金屬半導體的接觸電阻,利用四腳探針測量法以及傳輸線模型(Transmission Line Model)測量法,即可確定接觸
電阻的大小和金屬下方半導體層的薄膜電阻阻值。