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Induction Lamp MLL-PO Series

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無極燈

SINLOON® 無極燈光源 Model No. MLL-PO Series
Induction light source (Olive Type) Lifetime: 100,000hrs
Data specification: MLL-PO Series
Feature: Application:
• Power Range: 135W ~ 300W • Playground (操場) Figure 按圖放大
• Efficiency: 65~90lm/W • Bus station (巴士站)
• The Lifetime: 100,000 hrs • Lobby (大堂)
• Ambient Light: Instan start • Large building (高樓大廈) Figure 按圖放大
• Shine: Not flashing • Tunnels (隧道)
• Lighting Direc.: Arbitrary • Road lamp (路燈)
• Etc. (等等)
Order information:
Example: Model + Electronic Ballast MLL-PO-135 + Electronic Ballast
Characteristic Parameters:
型號 功率 電壓 光通量 尺寸 光效 顯色指數 工作頻率 形狀
Model Power * Voltage (V) lm Size: Φ*H (mm) lm/W CRI (Ra) KHz Type
MLL-PO-135 135W 160V-265V 10125-11205 120*200 75-83 >80 230±30 Olive
MLL-PO-150 150W 160V-265V 11250-12000 120*220 75-83 >80 230±30 Olive
MLL-PO-165 165W 160V-265V 12375-13965 130*220 75-85 >80 230±30 Olive
MLL-PO-180 180W 160V-265V 13500-15300 130*220 75-85 >80 230±30 Olive
MLL-PO-200 200W 160V-265V 15000-17000 130*220 75-90 >80 230±30 Olive
MLL-PO-250 250W 160V-265V 18750-28050 140*235 75-90 >80 230±30 Olive
MLL-PO-300 300W 160V-265V 22500-28050 140*235 75-90 >80 230±30 Olive
Color temperature 色溫: 2700K-6500K
Temperature 環境溫度: -25 ~ +50
Lifetime 使用壽命 100000hrs
Power * : The power means the lamp power and the high-frequency generator and power.
(*:指功率和高頻發生器功率之和)
If you have any question which is in the specification , please contact us.
(在本規格書裡如果您未能找到或參數指標未能達到你的應用要求即未在本規格書裡表現出來請與我們聯絡.)

 
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薄膜電阻和厚膜電阻的最大區別

 產品應用   薄膜電阻和厚膜電阻的最大區別在那裡?

薄膜電阻和厚膜電阻的最大區別
1. 膜厚的區別: 厚膜電路的膜厚一般大於10μm,薄膜的膜厚小於10μm,大多處於小於1μm.
2. 製造工藝的區別: 厚膜電路一般採用絲網印刷工藝,薄膜電阻採用的是真空蒸發,磁控濺射等工藝方法。
3. 厚膜電阻和薄膜電阻在材料和工藝上的區別直接導致了兩種電阻在性能上的差異。厚膜電阻一般精度
較差,±10%,±5%,±1%是常見精度,而薄膜電阻則可以做到±0.01%萬分之一精度,±0.1%千分之一精度等。
 同時厚膜電阻的溫度係數上很難控制,一般較大,同樣的,薄膜電阻則可以做到非常低的溫度係數至±5ppm,這樣
電阻阻值隨溫度變化非常小,阻值穩定可靠.所以薄膜電阻常用於各類儀器儀錶,醫療器械,電源,電力設備.
電子數碼產品等。 
應用                    
薄膜電阻的應用廣泛,對於任意面積遠大於厚度的情形,比如薄膜物理或者半導體產業中,常有奈米級厚度的
薄膜被沉積到晶片上,如果關心這些薄膜的電阻阻值大小時,就需使用薄膜電阻這一概念。例如,在發光二極體
的製造中,二極體PN結上作為電極而沉積的金屬的阻值很大程度影響了發光二極體的發光效率,因此需要最小化
金屬半導體的接觸電阻,利用四腳探針測量法以及傳輸線模型(Transmission Line Model)測量法,即可確定接觸
電阻的大小和金屬下方半導體層的薄膜電阻阻值。