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Wirewound High Power Resistor - PHD Type

功率型繞線電阻 Resistor -TH - Cement Resistor
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水泥電阻 大功率電力型繞線電阻

大功率電力型繞線電阻 大功率電力型繞線電阻 大功率電力型繞線電阻 大功率電力型繞線電阻

PDF File Data Spec Wirewound High Power Resistor - PHDType

HPD Type  ( ADJUSTABLE TYPE) HPQ Type  ( ADJUSTABLE TYPE) HPZ Type  ( ADJUSTABLE TYPE)
Power Rated Resistance Range Power Rated Resistance Range Power Rated Resistance Range
HPD-10W 1Ω ~ 10K Ω HPQ-75W 1Ω ~ 8K Ω HPZ-80W 0.1Ω ~ 80K Ω
HPD-20W 1Ω ~ 20K Ω HPQ-90W 1Ω ~ 9K Ω HPZ-100W 0.1Ω ~ 100K Ω
HPD-30W 1Ω ~ 30K Ω HPQ-120W 0.2Ω ~ 12K Ω HPZ-120W 0.1Ω ~ 120K Ω
HPD-40W 1Ω ~ 40K Ω HPQ-150W 0.2Ω ~ 15K Ω HPZ-150W 0.1Ω ~ 150K Ω
HPD-50W 0.1Ω ~ 50K Ω HPQ-180W 0.2Ω ~ 18K Ω HPZ-200W 0.1Ω ~ 200K Ω
HPD-60W 0.1Ω ~ 60K Ω HPQ-225W 0.2Ω ~ 20K Ω HPZ-250W 0.1Ω ~ 250K Ω
HPD-80W 0.1Ω ~ 80K Ω HPQ-240W 0.5Ω ~ 25K Ω HPZ-300W 0.1Ω ~ 300K Ω
HPD-100W 0.1Ω ~ 100K Ω HPQ-300W 0.5Ω ~ 30K Ω
HPD-120W 0.1Ω ~ 120K Ω HPQ-375W 0.5Ω ~ 40K Ω
HPD-150W 0.1Ω ~ 150K Ω HPQ-450W 0.5Ω ~ 45K Ω
HPD-160W 0.1Ω ~ 160K Ω HPQ-600W 0.5Ω ~ 60K Ω
HPD-200W 0.1Ω ~ 200K Ω HPQ-750W 0.5Ω ~ 75K Ω
HPD-225W 0.1Ω ~ 200K Ω HPQ-900W 1Ω ~ 90K Ω
HPD-250W 0.5Ω ~ 250K Ω HPQ-1KW 1Ω ~ 100K Ω
HPD-300W 0.5Ω ~ 300K Ω HPQ-1.2KW 1Ω ~ 120K Ω
HPD-400W 0.5Ω ~ 400K Ω HPQ-1.5KW 1Ω ~ 150K Ω
HPD-500W 0.5Ω ~ 500K Ω HPQ-2KW 1Ω ~ 200K Ω
HPD-600W 1Ω ~ 600K Ω
HPD-700W 1Ω ~ 700K Ω
HPD-800W 1Ω ~ 800K Ω
HPD-1KW 1Ω ~ 1M Ω
HPD-3KW 1Ω ~ 1M3 Ω

 

CM-SQH CM-SQP CM-SQM CM-SQT CM-SQZ CM-SQV CM-MPH CM-AH CM-PHD CM-MPR

 

大功率電力型繞線電阻

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薄膜電阻和厚膜電阻的最大區別

 產品應用   薄膜電阻和厚膜電阻的最大區別在那裡?

薄膜電阻和厚膜電阻的最大區別
1. 膜厚的區別: 厚膜電路的膜厚一般大於10μm，薄膜的膜厚小於10μm，大多處於小於1μm.
2. 製造工藝的區別: 厚膜電路一般採用絲網印刷工藝，薄膜電阻採用的是真空蒸發,磁控濺射等工藝方法。
3. 厚膜電阻和薄膜電阻在材料和工藝上的區別直接導致了兩種電阻在性能上的差異。厚膜電阻一般精度
較差，±10%,±5%,±1%是常見精度，而薄膜電阻則可以做到±0.01%萬分之一精度,±0.1%千分之一精度等。
 同時厚膜電阻的溫度係數上很難控制,一般較大,同樣的,薄膜電阻則可以做到非常低的溫度係數至±5ppm，這樣
電阻阻值隨溫度變化非常小,阻值穩定可靠.所以薄膜電阻常用於各類儀器儀錶，醫療器械,電源,電力設備.
電子數碼產品等。 
應用 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　
薄膜電阻的應用廣泛，對於任意面積遠大於厚度的情形，比如薄膜物理或者半導體產業中，常有奈米級厚度的
薄膜被沉積到晶片上，如果關心這些薄膜的電阻阻值大小時，就需使用薄膜電阻這一概念。例如，在發光二極體
的製造中，二極體PN結上作為電極而沉積的金屬的阻值很大程度影響了發光二極體的發光效率，因此需要最小化
金屬半導體的接觸電阻,利用四腳探針測量法以及傳輸線模型（Transmission Line Model）測量法,即可確定接觸
電阻的大小和金屬下方半導體層的薄膜電阻阻值。