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水泥電阻不同功率型號及阻值範圍

 更多 水泥電阻系列   水泥電阻不同功率及阻值範圍

 按圖放大 Cement Type : SQM  (型號:CM-SQM)

  

功率: 2W ~ 10W 阻值範圍: 繞線 0.1Ω ~ 50Ω 氧化膜 50R ~ 50K Ω . 

Power: 2W ~10W Resistance: Wire Wound 0.1~50  Metal oxide 50~50K Ω

按圖放大 Cement Type : SQP   (型號:CM-SQP)

  

功率: 2W ~ 40W 阻值範圍: 繞線 0.1Ω ~ 50Ω 氧化膜 50R ~ 100K Ω  

POWER  2W~40W  Resistance:   Wire Wound  0.1~50Ω Metal Oxide 50~100K Ω

 

按圖放大  Cement Type : SQT   (型號:CM-SQP)

 

功率: 5W ~ 25W 阻值範圍: 繞線 0.1Ω ~ 50Ω 氧化膜 50R ~ 47K Ω  

Power: 5W ~ 25W  Resistance: Wire Wound 0.1~50Ω; Metal oxide 50~47KΩ

 

按圖放大 Cement Type : SQZ   (型號:CM-SQZ)

 

功率: 3W ~ 30W 阻值範圍: 繞線 0.1Ω ~ 50Ω 氧化膜 50R ~ 10K Ω  

Power: 3W ~ 30W Resistance: Wire Wound 0.1~50Ω Metal Oxide 50~10KΩ; Voltage 300V ~ 1KV

 

   Cement Type SQV (型號 CM-SQV)

 

功率: 5W, 7W, 10W 20W. 阻值範圍: 繞線  0.1Ω ~ 50Ω 氧化膜 50R ~ 10K Ω  

Power: 3W ~ 30W Resistance: Wire Wound 0.1~50Ω Metal Oxide 50~10KΩ

 

 

最近更新在 週二, 23 八月 2011 13:53  
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Newsflash

LED 芯片封裝技術
產品應用 LED 芯片封裝技術
基板芯片封裝工藝技術有兩種形式: 一種是板上芯片封裝(COB)技術,它採用了絲焊的
方法在硅片和基底之間用引線直接建立電極連接,並用樹脂覆蓋保護以确保它的可靠性。
但它的封裝密度遠不及倒片焊封裝技術。
- 另一種是倒裝芯片(FLIP CHIP)技術,一種無引腳錶面封裝結構,一般含有電路單元,
設計用於通過適當數量的位於其面上的錫球,在電氣上和機械上連接於電路,然後將芯片
翻轉加熱利用熔接的錫鉛球與基板結合,此封裝熔接技術替換了常規打線連接電極的方法
- ,將漸會是未來的LED芯片封裝主流。
COB相比, FLIP CHIP封裝形式的芯片結構和輸入/(I/O)(焊鍚球)方向朝下,
原於I/O引端分佈於整個芯片錶面,故在封裝密度和處理速度上 FLIP CHIP 己達最佳效果
- ,特別是它可以採用SMT技術的手段來加工,因此是LED芯片封裝技術及高蜜度安裝的最
終使用方法。FLIP CHIP 封裝技術與傳統的COB的引線結合工藝相比具有許多明顯的
優點,包括優越的電學及熱學性能,高I/O引腳數,封裝尺寸更小。