Plastic Encapsulate Transistor
| SOT-23 塑封式晶體管 | PNP MMBT3906 | ||||||||||||||||||
| Plastic-Encapsulate Transistors SOT-23 | |||||||||||||||||||
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| Parameter | Symbol | Value | Units | ||||||||||||||||
| Collector-Base Voltage | VCBO | -40 | V | ||||||||||||||||
| Collector-Emitter Voltage | VCEO | -40 | V | ||||||||||||||||
| Emitter-Base Voltage | VEBO | -5 | V | ||||||||||||||||
| Collector Current - Continuous | IC | -0.2 | mA | ||||||||||||||||
| Collector Power Dissipation | PC | 0.2 | mW | ||||||||||||||||
| Thermal Resistance From Junction to Ambient | TθJA | 625 | ℃/W |  |
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| Junction Temperature | Tj | 150 | ℃ | ||||||||||||||||
| Storage Temperature | Tstg | -55~150 | ℃ | ||||||||||||||||
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AEC-Q200 試驗條件 說明
