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SMT Shielded Power Inductors - RH4D Series

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  Data Sheet  PDF File   SMT Shielded Power Inductors - RH4D Series

Features (特長)

Magnetically shielded construction (閉磁路構造設計)

Compact and thin (輕便薄小)

Large Current and Low DCR (大電流低直流阻抗)

Applications (用途)

DC-DC converter of portable equipment. (攜帶機器之直流轉換器)

Camcorder, LCD television set, Digital camera, P.D.A., Notebook.

(攝影機、液晶電視、數位相機、P.D.A.、筆記型電腦)

 

SMT Shielded Power Inductors

Part Number      Inductance

RH2D11            1.5μH ~ 10μH          

RH2D14            1.5μH ~ 12μH   

RH2D18            2.2μH ~ 33μH

 

RH2D09A          1.2μH ~ 10μH

RH2D11A          1.5μH ~ 10μH

RH2D14A          1.5μH ~ 12μH   

RH2D18A          2.2μH ~ 33μH

 

RH3D11            2.7μH ~ 39μH

RH3D14LD        1.2μH ~ 47μH

RH3D14HP        1.5μH ~ 22μH   

RH3D16            1.5μH ~ 33μH

RH3D28            3.3μH ~ 47μH


RH3D11A          2.7μH ~ 39μH

RH3D14ALD      1.2μH ~ 47μH

RH4D14AHP     1.5μH ~ 22μH   

RH3D16A          1.5μH ~ 33μH

RH3D28A          3.3μH ~ 47μH

RH3D28ALD      10μH ~ 220μH

 

RH4D18            1.0μH ~ 180μH

RH4D28            1.2μH ~ 390μH

RH5D18            4.1μH ~ 330μH

RH5D28            2.6μH ~ 680μH

RH6D18C          2.2μH ~ 47μH

RH6D28            3.0μH ~ 680μH

RH6D28            3.3μH ~ 1000μH

RH8D28            2.5μH ~ 100μH

RH8D43            2.0μH ~ 100μH

   

 

 

 
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Newsflash

半導體二極管基礎及檢測方法

 產品應用  半導體二極管基礎及檢測方法:

1.二極體的主要參數            
正向電流IF:在額定功率下,允許通過二極體的電流值。       
正向電壓降VF:二極體通過額定正向電流時,在兩極間所産生的電壓降。     
最大整流電流(平均值)IOM:在半波整流連續工作的情況下,允許的最大半波電流的平均值。  
反向擊穿電壓VB:二極體反向電流急劇增大到出現擊穿現象時的反向電壓值。    
正向反向峰值電壓VRM:二極體正常工作時所允許的反向電壓峰值,通常VRM爲VP的三分之二或略小一些。 
反向電流IR:在規定的反向電壓條件下流過二極體的反向電流值。       
結電容C:電容包括電容和擴散電容,在高頻場合下使用時,要求結電容小於某一規定數值。    
最高工作頻率FM:二極體具有單向導電性的最高交流信號的頻率。       
              
開關二極體             
在脈衝數位電路中,用於接通和關斷電路的二極體叫開關二極體,它的特點是反向恢復時間短,能滿足高頻和超頻應用的需要。
開關二極體有接觸型,平面型和擴散臺面型幾種,一般IF<500毫安培的矽開關二極體,多採用全密封環氧樹脂,陶瓷片狀封裝,
如圖所示 陶瓷片狀二極管           

2.二極體的選用常識              
選用二極管要注意的幾個方面:             
(1)正向特性                
另在二極體兩端的正向電壓(P爲正、N爲負)很小時(鍺管小於0.1伏,矽管小於0.5伏),管子不導通處於“死區”狀態,當正向電壓起過
一定數值後,管子才導通,電壓再稍微增大,電流急劇暗加。不同材料的二極體,起始電壓不同,矽管爲0.5-.7伏左右,鍺管 
爲0.1-0.3左右。              
                
(2)反向特性               
  二極體兩端加上反向電壓時,反向電流很小,當反向電壓逐漸增加時,反向電流基本保持不變,這時的電流稱爲反向飽和電流.
不同材料的二極體,反向電流大小不同,矽管約爲1微安到幾十微安,鍺管則可高達數百微安,另外,反向電流受溫度變化 
的影響很大,鍺管的穩定性比矽管差。           
                
(3)擊穿特性              
  當反向電壓增加到某一數值時,反向電流急劇增大,這種現象稱爲反向擊穿。這時的反向電壓稱爲反向擊穿電壓,
不同結構、工藝和材料製成的管子,其反向擊穿電壓值差異很大,可由1伏到幾百伏,甚至高達數千伏。  
                
(4)頻率特性              
由於結電容的存在,當頻率高到某一程度時,容抗小到使PN結短路。導致二極體失去單向導電性,不能工作,PN結面積越大,
結電容也越大,越不能在高頻情況下工作。           
                
3. 二極體檢測方法              
1.普通二極體的檢測               
  二極體的極性通常在管殼上注有標記,如無標記,可用萬用表電阻檔測量其正反向電阻來判斷(一般用R×100或×1K檔)具體方法如表一。