高性能Al2O3陶瓷基板和高热导率AlN陶瓷基板
日期: 2008年11月11日
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随着电子信息技术向集成化、微型化和多功能化方向发展,电子技术产品日益向微型、轻量、薄型、多功能、高稳定和高速化方向发展,尤其
是为适应表面组装技术(SMT)的需要,使功能陶瓷元器件多层化,多层元件片式化、片式元件集成化、集成元件模块和多功能成为跨世纪
的发展趋势。基于这种发展趋势,本公司目前主要生产各种型号、规格的高性能Al2O3陶瓷基板和高热导率AlN陶瓷基板;长远生产其他
片式、多层片式功能陶瓷元器件。高性能96Al2O3陶瓷基板和高热导率AIN陶瓷制备技术的来源由清华大学"新型陶瓷与精细工艺"国家重点实验
室,是国家自然科学基金重大项目的研究成果。主要特点有:
1、 采用非甲苯的混合溶剂制备流延浆料,可降低环境污染,易于控制流延成型、提高坯体质量。
2、 采用<1700℃的低温烧结技术,热导率≥180W/m·K的AIN陶瓷基板,易于控制平整度和粗糙度,减小晶粒尺寸、提高基板抗折强度和抗热震性。高性能96Al2O3
陶瓷基板主要包括HIC、片式电阻、网络电阻、聚集电位器、半导体制冷器、功率模块等用的各种型号、规格的高精度产品。
高热导率AIN陶瓷基板主要包括高密度布线HIC、高密度封装、大功率模块和高散热片等用的各种型号、规格的高精度产品。
公司从日本和美国引进的多台先进设备可以为用户生产、加工各种特殊规格的基片。
 
厚膜電路用基板 
常规尺寸:长≤152.4mm,宽≤108mm
常规厚度:0.25—1.0mm
产品具有理想的尺寸精度(最高精度可达±0.25%)和出色的小孔径加工性能(最小为0.2mm)。
根据用户要求,提供激光加工或模具冲压方法生产的各种规格的高质量基板。技术指标参见“产品主要技术参数和尺寸规格”。
片式電阻用基板 
压痕工艺的产品尺寸精度达±0.3mm,排列尺寸精度达±0.05mm,为片状电阻厂家丝网印刷工艺正常运行提供精确的配套,提高产品的合格率。
主要配套的规格有:1206、0805、0603、0402等一系列的片式电阻。
電位器用基板
本公司采用流延法生产的96%氧化铝基片,具有一致性好,表面光滑平整且易于印刷的特点,热导率高于95%氧化铝瓷,非常适合于电位器
制冷器用氧化鋁片 
根据用户的需要,可生产各种规格、包括各种外形尺寸、图形排列方式及电极堆数的制冷器用基片。
氮化鋁陶瓷基片 
近几十年来,氧化铝陶瓷基片的大量运用,给许多诸如:通讯、电子、汽车、电力电源、医疗和航空航天等领域带来了巨大的变革。随着科技的
迅猛发展,氮化铝陶瓷基片因其高热导率、低热膨胀系数、以及与硅良好的匹配性能等方面的优势,必将逐渐取代氧化铝基片,而使许多产业趋
向集成化、轻型化、小型化和功能化
晶振器基板(全尺寸、半尺寸 激光打孔基板
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