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半導體二極管基礎及檢測方法(資料只供參考) |
日期: |
2009年9月1日 |
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1.二極體的主要參數 |
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正向電流IF:在額定功率下,允許通過二極體的電流值。 |
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正向電壓降VF:二極體通過額定正向電流時,在兩極間所産生的電壓降。 |
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最大整流電流(平均值)IOM:在半波整流連續工作的情況下,允許的最大半波電流的平均值。 |
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反向擊穿電壓VB:二極體反向電流急劇增大到出現擊穿現象時的反向電壓值。 |
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正向反向峰值電壓VRM:二極體正常工作時所允許的反向電壓峰值,通常VRM爲VP的三分之二或略小一些。 |
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反向電流IR:在規定的反向電壓條件下流過二極體的反向電流值。 |
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結電容C:電容包括電容和擴散電容,在高頻場合下使用時,要求結電容小於某一規定數值。 |
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最高工作頻率FM:二極體具有單向導電性的最高交流信號的頻率。 |
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開關二極體 |
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在脈衝數位電路中,用於接通和關斷電路的二極體叫開關二極體,它的特點是反向恢復時間短,能滿足高頻和超高頻應用的需要。 |
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開關二極體有接觸型,平面型和擴散臺面型幾種,一般IF<500毫安培的矽開關二極體,多採用全密封環氧樹脂,陶瓷片狀封裝, |
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如圖所示 陶瓷片狀二極管 |
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貼片二極管結構圖 |
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圓柱型二極管 |
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貼片二極管 |
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Pd/Sn Plating |
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Ceramic Substrate |
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Ni Plating |
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Chip Diode |
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Ag Termination |
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Epoxy |
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Conductor |
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Solder Resist |
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2.二極體的選用常識 |
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選用二極管要注意的幾個方面: |
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(1)正向特性 |
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另在二極體兩端的正向電壓(P爲正、N爲負)很小時(鍺管小於0.1伏,矽管小於0.5伏),管子不導通處於“死區”狀態,當正向電壓起過 |
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一定數值後,管子才導通,電壓再稍微增大,電流急劇暗加。不同材料的二極體,起始電壓不同,矽管爲0.5-.7伏左右,鍺管 |
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爲0.1-0.3左右。 |
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(2)反向特性 |
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二極體兩端加上反向電壓時,反向電流很小,當反向電壓逐漸增加時,反向電流基本保持不變,這時的電流稱爲反向飽和電流. |
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不同材料的二極體,反向電流大小不同,矽管約爲1微安到幾十微安,鍺管則可高達數百微安,另外,反向電流受溫度變化 |
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的影響很大,鍺管的穩定性比矽管差。 |
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(3)擊穿特性 |
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當反向電壓增加到某一數值時,反向電流急劇增大,這種現象稱爲反向擊穿。這時的反向電壓稱爲反向擊穿電壓, |
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不同結構、工藝和材料製成的管子,其反向擊穿電壓值差異很大,可由1伏到幾百伏,甚至高達數千伏。 |
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(4)頻率特性 |
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由於結電容的存在,當頻率高到某一程度時,容抗小到使PN結短路。導致二極體失去單向導電性,不能工作,PN結面積越大, |
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結電容也越大,越不能在高頻情況下工作。 |
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3. 二極體檢測方法 |
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1.普通二極體的檢測 |
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二極體的極性通常在管殼上注有標記,如無標記,可用萬用表電阻檔測量其正反向電阻來判斷(一般用R×100或×1K檔)具體方法如表一。 |
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Anode |
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Cathode - |
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Cathode Band Color: white |
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表一 二極體簡易測試方法 |
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Electrical Symbol |
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正向電阻 |
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矽管:錶針指示位置在中間或中間偏右一點; |
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貼片型開關二極管產品特色: |
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鍺管:錶針指示在右端靠近滿刻度的地方 |
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小型貼片式結構 (0603,0805,1206) |
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(如圖所示)表明管子正向特性是好的。 |
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高速型 ( TRR=4.0nSec 典型值) |
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如果錶針在左端不動,則管子內部已經斷路 |
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適合高密度封裝 |
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最大功率消耗 300 毫瓦 |
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順向峯值電流500毫安 |
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反向電阻 |
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矽管:錶針在左端基本不動,極靠近0位置, |
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焊錫性溫度逹 260度 |
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鍺管:錶針從左端起動一點,但不應超過滿刻 |
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完全無鉛制程,高度環保. |
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度的1/4(如左圖所示),則表明反向特性是好的, |
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如果錶針指在0位,則管子內部已短路 |
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產品規格不同封裝型號 |
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貼片型二極管 (CD4148) |
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貼片二極管的優勢說明 |
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貼片二極管,穩壓二極管代碼 |
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貼片二極管結構成份比例和重量 |
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4148二極管外形封裝制程的演變 |
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半導體二極管基礎及檢測方法 |
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